6月6日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122161437A，申请号为CN202610613072.6，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2026年5月7日，发明人于贝贝、张俊龙、王琛，专利代理机构北京磐华捷成知识产权代理有限公司，专利代理师翟海青，分类号H10W20/00、H10W20/42、H10W20/43。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构上形成有第一介电层和第二介电层，第二介电层中形成有沟槽；形成至少覆盖沟槽的侧壁和底部的分子刷材料层；在分子刷材料层上形成至少部分地填充沟槽的嵌段共聚物层；使嵌段共聚物层发生相分离，形成柱状的第一相层和第二相层，在沟槽内的第二相层中形成有柱状的第一相层；至少去除沟槽内的第一相层，以形成图案化的第二相层；以图案化的第二相层为掩模，刻蚀第一介电层，形成贯穿第一介电层的通孔并去除图案化的第二相层。本申请无需使用先进的光刻机便可形成小尺寸的通孔图案，并能降低形成双大马士革结构的光罩的等级，进而降低生产成本。
芯联集成于2018年3月9日成立，于2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为浙江省绍兴市。该公司是国内在MEMS和功率器件领域具备较强实力的企业，专注晶圆代工及模组封测业务，提供一站式系统代工解决方案。
芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案。公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，所属概念板块包括IGBT概念、碳化硅、IDC电源。
2025年，芯联集成营业收入81.8亿元，在行业7家公司中排名第5，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元，也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工59.83亿元，占比73.15%；模组封装15.08亿元，占比18.43%；研发服务及其他3.98亿元，占比4.87%；其他(补充)2.9亿元，占比3.55%。净利润方面，2025年为-19.33亿元，在行业7家公司中排名第7，与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，低于行业平均数9.67亿元和中位数4.66亿元。
元股证券:ygzq.hk互联网持牌配资券商芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛2半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利公布CN202610603325.12026-05-06CN122138453A2026-06-02黄艳、赵晓燕3电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文4霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕5套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀6MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海7一种霍尔元件发明专利公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟8DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟9半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊10垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼11一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕12滤波器及其制造方法发明专利公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋13MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋14MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏15高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪16半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛17深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭18用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆19负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩20封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能21一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶22电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏23一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶24输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰25一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文26一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭27晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽28一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海29屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰30高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽31麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文32产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏33RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙34纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅35用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟36基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建37虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏38半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑39提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文40薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511664756.02025-11-13CN121428522A2026-01-30李官勐、左中伟、李乾伟、王志军、王颖超41半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665207.52025-11-13CN121815687A2026-04-07裴博、吴荣成、周旭、杨晓寅、陈连旭42一种半导体器件及其制备方法和电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511655487.12025-11-12CN121398101A2026-01-23张俊龙、黎震宇、王琛、刘国安43半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511647250.92025-11-11CN121536877A2026-02-17王宇、陆晓龙、姚阳文44IGBT结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511628929.32025-11-07CN121510604A2026-02-10张玉琦、戴银、任文珍、丛茂杰45掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511613526.12025-11-06CN121232519A2025-12-30张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬46一种绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利授权CN202511606930.62025-11-05CN121078798B2026-03-24魏翔、王琛47统计过程控制方法、装置、设备及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511589900.92025-11-03CN121350142A2026-01-16周暐、李悦、孙海丽、项林、高菲燕48一种半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511540384.02025-10-27CN121398069A2026-01-23姚泽辉、李婧、张文博、金善武49屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管发明专利实质审查的生效、公布CN202511513621.42025-10-22CN121357933A2026-01-16徐西贤、阚志国50沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511513278.32025-10-22CN121368377A2026-01-20李宏伟、王旭行业配资门户
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